在先进封装中,一颗直径只有几十到几百微米的锡球,不仅承担电气互连和机械支撑,还可能带来一种肉眼看不见的可靠性风险——α粒子。
这些α粒子主要来自锡基材料中极少量的放射性核素。当它们进入芯片敏感区域并沉积足够电荷时,可能使原本存储的“0”或“1”发生翻转。器件通常不会立即损坏,但数据可能已经出现错误。
随着芯片特征尺寸缩小、工作电压降低,以及倒装芯片、晶圆级封装和2.5D/3D封装的发展,锡球、微凸点与芯片有源区之间的距离越来越近。低阿尔法锡因此逐渐成为高密度封装材料的重要要求。
α粒子进入半导体后,会沿运动轨迹沉积能量,并产生大量电子—空穴对。在器件内部电场和载流子扩散作用下,其中一部分电荷可能被存储节点、晶体管漏区等敏感区域收集。
每个存储节点都存在一个能够承受扰动的上限,称为“临界电荷”。当收集电荷超过这一上限时,节点原有状态就可能改变。
与低阿尔法封装材料关系最密切的主要有两种效应。
第一种是单粒子翻转,即SEU。它会使存储单元、寄存器或锁存器中的数据由“0”变成“1”,或者由“1”变成“0”。这类错误通常不会造成器件永久损伤,可通过重新写入、复位或纠错机制恢复。
第二种是单粒子瞬态,即SET。α粒子可能在组合逻辑或模拟电路中产生短暂的异常脉冲。如果脉冲在传播过程中没有被衰减,并被后级电路锁存,就可能形成错误输出。
需要说明的是,α粒子进入封装结构,并不等于芯片一定会出错。实际风险还取决于器件结构、敏感节点位置、工作电压、临界电荷、粒子能量、互连材料与有源区的距离,以及系统是否具有纠错能力。
低阿尔法锡的作用,是降低由封装材料引起的软错误风险,而不是彻底消除所有软错误。
锡本身并不是主要问题,真正需要关注的是其中含量极低的放射性杂质。
低阿尔法锡重点控制的对象包括铅-210、钋-210、铀、钍及其衰变产物。其中,一条受到重点关注的衰变路径是:
铅-210 → 铋-210 → 钋-210 → 铅-206+α粒子
铅-210和铋-210主要发生β衰变,最终生成的钋-210会释放α粒子。
这里有一个容易被忽视的问题:总铅含量低,并不代表放射性铅-210一定低。
总Pb数据只能说明材料中“有多少铅”,却不能直接说明其中“有多少放射性铅”。因此,降低总铅含量通常有利于减少潜在风险,但不能仅凭总Pb数据判断材料是否达到低阿尔法等级。
另一个问题是放射性核素的“再生”。提纯过程可能暂时降低材料中的钋-210含量,但如果铅-210没有被充分脱除,储存过程中仍可能生成新的钋-210,使α粒子发射率再次升高。
因此,超低α或极低α产品除了出厂检测,还需要通过存放复测观察长期稳定性。
放射性杂质也不只来自原料。锡矿、粗锡、回收料和合金元素可能带入污染;坩埚、模具、炉体、生产粉尘、添加剂和包装材料,也可能在加工过程中造成二次污染。
材料越纯,设备和环境中极微量的污染反而越不能忽视。
“高纯”和“低阿尔法”是两个相关但不同的概念。
高纯锡主要关注锡的主体纯度,以及Pb、Bi、Sb、Cu、Fe等常规化学杂质。
低阿尔法锡除了关注这些指标,还必须重点控制铅-210、钋-210、铀、钍等放射性核素,并通过实际检测确认α粒子发射率。
换句话说:
高纯锡回答的是“化学杂质有多少”;低阿尔法锡回答的是“材料实际释放多少α粒子”。
两批锡即使具有相近的化学纯度,其放射性核素组成和α粒子发射率仍可能明显不同。因此,5N、6N等纯度等级不能代替低阿尔法检测。
高纯化是获得低α性能的重要基础,但高纯锡不能直接等同于低阿尔法锡。
低阿尔法材料通常用单位面积、单位时间内检测到的α粒子数量评价,常用单位为:
cph·cm⁻²
它可以简单理解为:每小时、每平方厘米样品表面检测到的α粒子数量。
常见标称等级包括:
材料等级 | α粒子发射率 |
低α等级 | <0.01 cph·cm⁻² |
超低α等级 | <0.002 cph·cm⁻² |
极低α等级 | <0.001 cph·cm⁻² |
不过,不同研究机构和企业对Low Alpha、Ultra-Low Alpha等名称的边界并不完全一致。因此,判断产品性能时,应优先查看实际发射率,而不能只看等级名称。
当材料进入超低α和极低α水平后,检测结果容易受到样品面积、测试时间、探测效率、仪器本底、宇宙射线、氡污染和样品表面静电等因素影响。
一份完整的检测报告,除了发射率数值,还应说明检测仪器、有效测试面积、测试时间等。
第一道防线:材料源头控制
材料控制包括低放射性原料筛选、主体锡和合金元素提纯、洁净熔炼与合金化、微细成型、成品检测和洁净包装。
普通锡、回收锡与低阿尔法物料还应避免交叉污染。超低α和极低α产品宜采用专用设备、独立物料流转,或者经过验证的清线程序。
第二道防线:封装结构防护
可以在芯片表面或敏感区域上方设置聚合物、介质材料等阻挡层,使α粒子在到达有源区之前损失部分能量。
不过,阻挡层并不是越厚越好。过厚可能增加热阻、界面应力和封装尺寸,因此通常只能作为辅助措施。
第三道防线:电路和系统容错
加固锁存器、冗余设计、错误检测与纠正码、数据备份与恢复等方法,能够降低软错误造成的后果,但也可能增加芯片面积、功耗和设计复杂度。
这三类措施分别作用于放射源、粒子传播路径和器件响应,不是相互替代的关系,而应根据产品可靠性要求协同使用。
重庆群崴电子材料有限公司成立于2007年,是国家高新技术企业和国家级专精特新“小巨人”企业,长期专注于BGA锡球、微细锡球、CCGA锡柱、锡膏等高阶封装材料的研发、生产与销售。
公司围绕微细成型、精密筛选、合金调控和产品检测形成技术布局,可制造30~100 μm高精度微细锡球,并开发面向100 μm以内产品的低阿尔法锡球。
在低阿尔法检测与控制方面,公司配置XIA UltraLo-1800超低本底α粒子计数系统,将低α原料、精密成型与成品检测相衔接,形成从原料控制到产品验证的质量链条,为高密度、高可靠先进封装提供低放射性锡基互连材料。
在先进封装时代,锡球已经不再只是一个简单的焊接和连接部件。
随着互连尺寸不断减小、材料与芯片有源区距离不断缩短,材料中极少量的放射性核素也可能成为可靠性设计必须考虑的变量。
低阿尔法锡的核心,不只是把锡做得“更纯”,而是对原料、提纯、合金化、微细成型、检测和包装实施全过程控制。
对于高端存储器、倒装芯片和2.5D/3D封装而言,未来评价锡基互连材料时,不仅要问:
它有多纯?
还要进一步问:
它实际释放多少α粒子?